IKT

Gjennombrudd for billigere og raskere kretser

11. sep. 2001 - 10:52

I 30 år er det gjort forsøk på å kombinere blandingshalvledere som galliumarsenid, indiumfosfid, galliumnitrid (såkalte III-IV halvledere) med integrerte silisiumkretser på ett og samme silisiumsubstrat. Motorola Labs har nå klart å løse dette problemet.

Dette vil gi langt billigere og raskere kretser. Spesiell betydning vil gjennombruddet få for anvendelser innen fiberoptisk kommunikasjon hvor man tidligere når det gjelder lysemitterende halvledere har vært henvist til å bruke diskrete komponenter med de følger det har for kostnader, størrelse og hastighet.

– Når den er fullt ut kommersialisert vil denne teknologien få tilsvarende betydning som overgangen fra diskrete halvledere til integrerte kretser, mener teknologidirektør Dennis Robertson hos Motorola Inc.

Materialenes ulike krystallstruktur har vært den store utfordringen. Motorolas løsning ligger i å legge på et tynt ekstralag mellom materialene – en resept som konsernet har tatt ut ikke mindre enn 270 patenter for å beskytte. Men selskapet lisensierer teknologien for raskest mulig kommersiell utbredelse.

Les mer om:
Del
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.