Elektronmikroskopibilde av en Ge/Si nano-felteffekttransistor (nFET) (Bilde: Harvard University)

Gjennombrudd for nanotransistorer

  • ikt

Forskere har lenge jobbet hardt for å utvikle transistorer basert på nanoteknologiske materialer.

Ved hjelp av blant annet nanotråder (spunnet av karbonnanorør) kan de redusere så vel størrelse som energiforbruket dramatisk.

I tillegg blir de nye transistorene langt raskere enn konvensjonelle transistorer.

Beste noen sinne

I siste nummer av det vitenskapelige tidsskriftet Nature skriver forskere ved Harvard University i Boston, Massachusetts at de har konstruert den beste nanotransistoren noen sinne.

Det er en felteffekttransistor (FET) basert på nanotråder, germanium og litt silisium, og den «spiller» 3–4 ganger bedre enn tradisjonelle, silisiumabaserte CMOS-transistorer.

– Dette viser for første gang fordelene ved nanotråder framfor konvensjonelle felteffekttransistorer. Vi håper industrien merker seg dette, og bidrar til å kommersialisere denne teknologien så raskt som mulig, uttaler prosjektlederen Charles Lieber til nanotechweb.org.

Høyhastighet

Han antar at teknologien om få år vil bli brukt i høyhastighetskretser etter at CMOS-transistorene har nådd sine teoretiske tekniske grenser.

– I tillegg kan nanotransistorene brukes en rekke steder der silisiumbaserte transistorer ikke kan brukes, for eksempel på transparente overflater eller i fleksible omgivelser, sier Lieber.

Han vil imidlertid ikke antyde noe om når nanotransistorene kan begynne å konkurrere med konvensjonelle transistorer på pris.