Magnetisk lagring i brikker

  • ikt

Skiftet fra D til M kan bety mer enn de fleste aner.

I DRAM står D-en for Dynamisk. I en slik hukommelsesbrikke består et hukommelseselement av en transistor og en kondensator.

Det er ladningen i den superknøttlille kondensatoren som bestemmer informasjonen den inneholder er en null eller et ett-tall. D-en betyr dessverre at denne informasjonen forsvinner på et blunk om ikke den gjenoppfriskes mange ganger i sekundet, altså dynamisk.

I en MRAM står M-en for magnetisk og en magnet som får endret sin polaritet mister ikke den så lett.

Det at forskerne nå klarer å produsere tettpakkede hukommelsesbrikker med magnetisk lagret informasjon i stedet for kapasitiv gjør at de ikke mister informasjonen når strømmen blir borte.

Konsekvensen av det blir at fremtidens PC-er kan være oppe å gå med det samme du skrur dem på.

I tillegg er strømforbruket vesentlig mindre og hastigheten mye raskere. Begge egenskaper er selvfølgelig manna fra himmelen for bærbare datamaskiner.

På VLSI Symposia i Kyoto i Japan har de to samarbeidspartnerne vist frem en 128 kbit MRAM brikke og i følge IBM har vi her å gjøre med noe som kan bli den fremtidens dominerende lagringsteknologi.