Gjennombrudd for SiC

  • ikt

Silisiumkarbid har elektriske og fysiske egenskaper som er langt bedre enn rent silisium. Hittil har materialet ikke kunnet hatt noen betydelig anvendelse på grunn av urenheter og strukturelle feil. Det rett og slett degenereres etter kort tid.

De japanske forskerne har lykkes å utvikle metoder som eliminerer defektene og gjør materialet bestandig over lang tid, skriver tidsskriftet Nature.

Også ABB har jobbet på spreng for å finne en god anvendelse av silisiumkarbid. I prosjektet Powerchip forsøker de å utnytte materialet egenskaper til å lage mikrobrikker for anvendelse i kraftelektronikk med spenningsnivåer på det tidobbelte av vanlige mikrobrikker basert på silisium. De tåler blant annet flere hundre grader høyere arbeidstemperatur enn tradisjonell elektronikk.