LITEN; MEN STOR: Samsungs nye 128 Gbit flashbrikke får god plass på en liten negl, men vil gi oss mer minne i dingsene våre (Bilde: Samsung)

SAMSUNG 128 GBIT NAND-FLASH

Flashminnet blir raskere, tettere og billigere

Samsung med 10 nanometer-flash.

Samsung kan mer enn å lage forbrukerelektronikk. De er gode på innmaten også.

10 nm

Samsung Electronics har nettopp startet produksjonen av en 128 gigabit flashbrikke med det de kaller 10 nanometer-teknologi.

Det betyr at vi kan vente oss nok et sprang i minnetetthet i alt som bruker slikt minne fra mobiltelefoner og nettbrett til alskens minnekort og svære SSD-er.

Ti nanometer kan høres ut som et voldsomt gjennombrudd, men i virkeligheten er dette en betegnelse på en teknologigenerasjon som ligger mellom 10 og 20 nanometer.

Hva linjebredden er sier ikke Samsung i pressemeldingen, men den er nok betydelig under Intels 22 nm, som benyttes i den nye prosessorgenerasjonen.

Det er lettere å lage tettpakkede minnebrikker enn prosessorer på grunn av mye lavere varmeutvikling i kretsen.

Les også: Her er Samsungs Apple TV-konkurrent

Raskt

De nye minnebrikkene bruker en multinivåcelleteknologi (MLC) slik at de kan lagre mer enn to bit per celle.

Ved å lagre ulike spenningsnivåer kan denne lagre tre bit per celle og det bidrar godt til pakketettheten.

Normalt er multinivå-flash ikke like rask som enkeltnivå, men i dette tilfellet har kretsen en ytelse på opptil 400 Mbit/s.

Les også: Overfører 3 Gbps fra taklampa

Større

Samsung er selv en stor produsent av minnekort og SSD-er.

Den nye minneteknologien vil bli brukt både til å øke produksjonen av 128 GB-minnekort og SSD-er på mer enn 500 GB.

Samsung er dog ikke alene om å lansere slik teknologi. I februar lanserte SanDisk en liknende brikke basert på 19 nm-teknologi, selv om den ikke er like rask som Samsungs.

Les også:

Supervarme kan gi SSD-en evig liv

Uten denne brikken stopper norsk elektronikk-industri

Her finner de råstoffet til fremtidens supermateriale